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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5551ZL1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2N5551ZL1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551RLRB | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5550RLRE | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551RL | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551RLRP | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5551ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5552 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 10A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N5552-1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N5555 | 功能描述:JFET N-CH 25V 15mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5555 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:JFET |
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