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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5629 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 16 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2N5629 |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6030 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 2N6033 | Bipolar NPN Device |
| 2N6033 | HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
| 2N6033 | HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS |
| 2N6033 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5630 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 NPN 120V 16A 200W BEC |
| 2N5631 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5631/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors |
| 2N5631G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5632 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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