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參數資料
| 型號： | 2N5680 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管) |
| 中文描述： | 硅PNP晶體管（硅晶體管進步黨） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2N5680 |
2N5680
SILICON PNP TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
APPLICATIONS
I
GENERAL PURPOSE SWITCHING
I
GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS
DESCRIPTION
The 2N5680 is high voltage silicon epitaxial
planar PNP transistors in Jedec TO-39 metal
case intended for use as drivers for high power
transistors in general purpose, amplifier and
switching circuit.
The 2N5680 complementary NPN type is the
2N5682.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
TO-39
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
-120
V
-120
V
-4
V
-1
A
I
B
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Total Dissipation at T
amb
≤
50
o
C
Storage Temperature
-0.5
A
P
tot
P
tot
T
stg
T
j
10
W
1
W
o
C
o
C
-65 to 200
Max. Operating Junction Temperature
200
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2N5681SMD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN |
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| 2N5682 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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