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參數資料
| 型號： | 2N5684 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 50 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| 封裝： | CASE 197A-05, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | 2N5684 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5686 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N5683 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N5684 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N5684 | POWER TRANSISTORS(50A,300W) |
| 2N5685 | POWER TRANSISTORS(50A,300W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5684/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N5684_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High−Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N5684G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5684G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| 2N5685 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 2N5685 GP BJTs 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR NPN 80V 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V, 50A, TO-3 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 80V, 50A, TO-3-2; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:15; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
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