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參數資料
| 型號： | 2N5815 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 互補性的芯片自動對焦中功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | 2N5815 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5816 | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5817 | TNC IN-LINE AMPLIFIER; 0.500-2.0 GHz |
| 2N5818 | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5819 | COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5812 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5816 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 2N5817 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5818 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5819 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N582 | 制造商:n/a 功能描述:MIL-SPEC S6J1B |
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