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參數資料
| 型號： | 2N5840 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 高電壓，高功率硅NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 379K |
| 代理商： | 2N5840 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5873 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| 2N5870 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
| 2N5882 | Silicon NPN High-Power Transistor(15A，160W，80V（集電極-發射極），硅NPN大功率晶體管) |
| 2N5883 | Complementary Silicon PNP Power Transistor(25A，200W，60V（集電極-發射極），補償型硅PNP功率晶體管) |
| 2N5884 | Complementary Silicon High Power Transistors(補償型硅高功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2N5842 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-72 |
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| 2N5844 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 2N5845 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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