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參數資料
| 型號： | 2N6028RLRP |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 單結晶體管 |
| 英文描述： | Programmable Unijunction Transistor |
| 中文描述： | PROGRAMMABLE UJT, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 029, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | 2N6028RLRP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6027 | Programmable Unijunction Transistor |
| 2N6028 | Programmable Unijunction Transistor |
| 2N4948 | PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON PN UNIJUNCTION TRANSISTORS |
| 2N4949 | PN UNIJUNCTION TRANSISTORS SILICON PN UNIJUNCTION TRANSISTORS |
| 2N2432 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6028RLRPG | 功能描述:SCR 40V 300mW PUT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6028TPE1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6029 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6030 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 PNP -120V -16A 200W BEC |
| 2N6031 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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