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參數資料
| 型號： | 2N6034 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2N6034 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6038 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6036 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6034G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6034SGS | 制造商:SGS 功能描述:2N6034 |
| 2N6035 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6035/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6035_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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