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參數資料
| 型號： | 2N6425LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 封裝： | TO-66, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2N6425LEADFREE |
Power Transistors
TO-66 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(A)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
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MIN
MAX
MIN
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4.0
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1.0
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- -
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0.5
0.2
(6-December 2004)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6263LEADFREE | 3 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4233LEADFREE | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3741ALEADFREE | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6467LEADFREE | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4898LEADFREE | 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6426 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6426/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Darlington Transistors NPN |
| 2N6426_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor |
| 2N6426_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Transistors NPN Silicon |
| 2N6426_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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