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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6429 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 200mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N6429 |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6439 | POWER TRANSISTOR |
| 2N6439 | 60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| 2N6477 | Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:0.5"; Wall Thickness Recovered Nominal:0.055"; Inner Diameter Max Recovered:0.195"; Expanded Inner Diameter:0.500"; Material:Polyolefin |
| 2N6478 | MEDIUM POWER SILICON NPN TRANSISTORS |
| 2N6488 | Complementary Silicon Plastic Power Transistor(15A，75W，80V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型，硅NPN功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6430 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N6431 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6431 WAF | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2N6431 PBFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| 2N6432 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
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