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參數資料
| 型號： | 2N6472 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CAN-2 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N6472 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6579 | 12 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6580 | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5628 | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6354 | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N1904 | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6473 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS |
| 2N6474 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:130V 4A 16W Bce Transistor TO-220Ab NPN |
| 2N647416 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N6475 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6476 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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