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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6489 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2N6489 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6490 | 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2N6496-T257 | 15 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-257 |
| 2N6510 | 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6517 | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N651A | 500 mA, 30 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6490 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N649093 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N6490G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6491 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N649104 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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