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參數(shù)資料
型號: 2N6655
廠商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 20 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 326K
代理商: 2N6655
相關PDF資料
PDF描述
2N6653 20 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6659B 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
2N6659 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39
2N6659 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N4351 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6658 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3
2N6659 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6659-2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk
2N6659-E3 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6660 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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