型號: | 2N6659 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
中文描述: | 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 18K |
代理商: | 2N6659 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N6660JAN | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.99A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
2N6660X | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
2N6660 | N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs |
2N6660 | TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS |
2N6660 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2N6659-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk |
2N6659-E3 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2N6660 | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2N6660 | 制造商:SOLID STATE 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39 |
2N6660_07 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |