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參數資料
| 型號： | 2N6661-QRR1 |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.9 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220M, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2N6661-QRR1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6660-SM | 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6661LCC4-JQR-B | 0.9 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4 | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6797LCC4-JQR-A | 5.5 A, 150 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2N6756R1 | 14 A, 100 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6666 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
| 2N6667_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors |
| 2N6667G | 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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