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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6661 |
| 廠商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2N6661 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661 | 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6668 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6671 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6671 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6672R1 | 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6661_10 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6661_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
| 2N6661-2 | 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6661CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6661DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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