- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33290 > 2N6661B (VISHAY SILICONIX) Si, POWER, FET, TO-205AD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N6661B |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Si, POWER, FET, TO-205AD |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | 2N6661B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661CSM4-JQR-BG4 | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
| 2N6661CSM4-JQR-AG4 | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
| 2N6661CSM4-QR-B | 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA |
| 2N6661 | Si, SMALL SIGNAL, FET |
| 2N7002L | 800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6661CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 2N6661DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 2N6661-E3 | 功能描述:MOSFET 90V 0.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6661-E3/ | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N6661JAN02 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 90V 4 OHM (MOTS) - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。