欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > 2字母型號搜索 > 2字母第2119頁 >

2N6661-E3

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
2N6661-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 90V 0.9A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2N6661-E3 技術參數
  • 2N6661-2 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:20 2N6661 功能描述:MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Tj) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N6660JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-205AF(TO-39) 標準包裝:20 2N6660JTXP02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-205AF(TO-39) 標準包裝:20 2N6660JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-205AF(TO-39) 標準包裝:20 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756
配單專家
2N6661-E3相關熱門型號

在采購2N6661-E3進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買2N6661-E3產品風險,建議您在購買2N6661-E3相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的2N6661-E3信息由會員自行提供,2N6661-E3內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 汕头市| 阳谷县| 高尔夫| 朔州市| 阳东县| 黔西| 额尔古纳市| 汉沽区| 友谊县| 平原县| 磴口县| 苏尼特左旗| 资阳市| 阳山县| 娄底市| 吉水县| 孟村| 桂东县| 任丘市| 桑日县| 长宁区| 个旧市| 溧阳市| 茌平县| 乌兰县| 普陀区| 会昌县| 贡觉县| 维西| 石景山区| 竹山县| 平昌县| 武宣县| 叙永县| 巴塘县| 墨竹工卡县| 金平| 洛隆县| 上林县| 宿松县| 繁昌县|