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2N6661JTX02

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  • 2N6661JTX02
    2N6661JTX02

    2N6661JTX02

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • VIS/SIL

  • TO205

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
2N6661JTX02 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • 19500/547 JANTX2N6661
2N6661JTX02 技術參數
  • 2N6661JTVP02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:20 2N6661JAN02 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:20 2N6661-E3 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:100 2N6661-2 功能描述:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:20 2N6661 功能描述:MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):90V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Tj) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719 2N6724 2N6725 2N6726 2N6727 2N6729 2N6756 2N6758 2N6760 2N6762
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