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參數資料
| 型號： | 2N6716 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Power Transistors |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA |
| 封裝： | PLASTIC, TO-237, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N6716 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
Designed for General purpose Medium Power Amplifier and Switching Circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6714
2N6715
2N6716
Units
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
30
40
60
V
Collector-Base Voltage
V
CBO
40
50
60
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-
5.0
-
V
Collector Current – Continuous
I
C
-
1.5
-
A
Power Dissipation @ Ta=25oC
P
D
-
850
-
mW
Operating And Storage Junction
Temperature Range
T
j
,T
stg
-55 to +150
o C
2N6714
2N6715
2N6716
1 = EMITTER
2 = BASE
3 = COLLECTOR
1 2 3
E B C
TO-237 Plastic Package
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6714 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| 2N6714 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 2N6715 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 2N6716 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 2N6718-A-AB3-B | NPN GENERAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6716STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6716STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6716STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6717STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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