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參數(shù)資料
型號: 2N7000L18-2
廠商: VISHAY SILICONIX
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 45K
代理商: 2N7000L18-2
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PDF描述
2N7000RLRA 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000ZL1G 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000 210 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
2N7002C1A-JQRS.GCDM 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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參數(shù)描述
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2N7000L-T92-K 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
2N7000L-T92-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
2N7000P 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRA 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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