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參數資料
| 型號： | 2N7002CSM |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | 2N7002CSM |
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/98
2N7002CSM
* Pulse width limited by maximum junction temperature.
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOS TRANSISTOR
FEATURES
V
(BR)DSS
= 60V
RDS
(ON)
= 7.5
I
D
= 0.115A
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
j
T
stg
Drain – Source Voltage
Gate – Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Pulsed Drain Current *
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
CASE
= 25°C
@ T
CASE
= 100°C
@ T
CASE
= 25°C
@ T
CASE
= 100°C
60V
±40V
±0.115A
±0.073A
0.8A
200mW
80mW
–55 to 150°C
–55 to 150°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25°C unless otherwise stated)
SOT23 CERAMIC
(LCC1 PACKAGE)
2
1
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31
(0.012)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2
(
0
(
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
1.40
(0.055)
max.
A
(0.31
rad.
A =
3
PAD 1 – Gate
Underside View
PAD 2 – Source
PAD 3 – Drain
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002CSM | N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）) |
| 2N7002 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
| 2N7002-01 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002DW | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號:2N7002 標準包裝:1 |
| 2N7002DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002DSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002DW | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002DW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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