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參數資料
| 型號： | 2N719 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-18 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁|到18 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | 2N719 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N839 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
| 2N720AS | Silicon NPN Transistor |
| 2N720 | HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE |
| 2N720A | HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE |
| 2N7219 | 200V, 18A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 18A,N溝道，增強模式功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N719A | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N720 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE |
| 2N720A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N720A_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN |
| 2N720AJAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 |
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