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參數資料
| 型號： | 2PB709ASW |
| 英文描述： | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 中文描述： | 5個引腳µ帶看門狗和手動復位的P監控電路 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2PB709ASW |
DATA SHEET
Product specification
2002 Jun 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PB709AW
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PB709AW | PNP general purpose transistor |
| 2PB709 | PNP general purpose transistor |
| 2PB709A | PNP general purpose transistor |
| 2PB709AQ | PNP general purpose transistor |
| 2PB709AR | PNP general purpose transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PB709ASW T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ASW,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB709ASW115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| 2PB709AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
| 2PB709BRL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORPNP50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,PNP,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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