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參數資料
型號: 2PD601AS
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:15uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:D; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN
文件頁數: 1/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商: 2PD601AS
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jun 20
1999 Apr 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD601A
NPN general purpose transistor
book, halfpage
M3D114
相關PDF資料
PDF描述
2PD601 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR
2PD602 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2PD602A NPN general purpose transistor(NPN通用型晶體管)
2PD602AQ NPN general purpose transistor
2PD602AR Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:3uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:A; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
相關代理商/技術參數
參數描述
2PD601AS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
2PD601ASL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 100MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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