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參數資料
| 型號： | 2PD601AT/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2PD601AT/R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD602ARL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PG001 | 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2PG003 | 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2S033R1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PD601AW | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| 2PD601BRL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2PD601BRL,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601BSL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN50V0.2ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,50V,0.2A,SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2PD601BSL,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50 V 200 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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