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參數資料
| 型號： | 2SA1160A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 10V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SA1160A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1160B | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1160C | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SA1162GR | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1162O | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1162Y | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1160B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SA1160B(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1160-B(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 10V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1160C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SA1161 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92 -15V -.03A .2W BEC |
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