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參數資料
| 型號： | 2SA1162O |
| 英文描述： | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 中文描述： | 5個引腳µ帶看門狗和手動復位的P監控電路 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SA1162O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1162Y | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1163BL | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1163GR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AB |
| 2SA1164 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1171D | TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1162-O | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
| 2SA1162-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1162-O(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1162-O,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 |
| 2SA1162S-GR,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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