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參數(shù)資料
型號: 2SA1241(2-7B1A)
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 2-7B1A, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 279K
代理商: 2SA1241(2-7B1A)
2SA1241
2002-07-23
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1241
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
Excellent switching time: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SC3076
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
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PDF描述
2SA1241-Y(2-7B1A) 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1241-O(2-7B1A) 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1241-O 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1241-Y 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1241Y 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SA1242-Y(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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