- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄49894 > 2SA1381C-SA 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA1381C-SA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SA1381C-SA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3468D-AE | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC4188F-YA | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SC2857C-AQ | 50 mA, 180 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SD1459-RB | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1459Q-RA | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1381CSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381DSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381ESTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381FSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1382 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。