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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1515 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Medium Power Transistor |
| 中文描述： | 中等功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SA1515 |
(96-120-B12)
External dimensions (Units: mm)
207
Transistors
Medium Power Transistor
(
32V,
1A)
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
= –500mA / –50mA)
2) Compliments 2SD1664 /
2SD1858.
0.2V (Typ.)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1237 | Medium Power Transistor |
| 2SA1515S | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
| 2SB1132P | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB1132Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1132R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1515STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1515STPQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -1A, SPT |
| 2SA1515STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 32V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1518-TB-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 50V 0.5A 50 CP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP +RESIS 50V 0.5A SOT23 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SA1519-TB-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP +RESIS 50V 0.5A SOT23 |
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