欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: 2SA1533
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述: 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: ROHS COMPLIANT, TO-92NL-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 47K
代理商: 2SA1533
1
Transistor
2SA1533
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency driver amplification
Complementary to 2SC3939
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W
output amplifier.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–80
–80
–5
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
Cob
Conditions
V
CB
= –20V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –150mA
V
CE
= –5V, I
C
= –500mA
I
C
= –300mA, I
B
= –30mA
I
C
= –300mA, I
B
= –30mA
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–80
–80
–5
90
50
typ
100
– 0.2
– 0.85
85
11
max
– 0.1
220
– 0.4
–1.2
20
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
Unit: mm
1:Emitter
2:Collector
3:Base
TO–92NL Package
5.0
±
0.2
1
±
0
0
±
0
8
±
0
1.27
1
2
3
1.27
4.0
±
0.2
0.45
+0.15
–0.1
0.45
+0.15
–0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
2.54
±
0.15
*
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE1
90 ~ 155
130 ~ 220
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1534 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1534A Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1535 Silicon PNP epitaxial planar type
2SA1535A Silicon PNP epitaxial planar type
2SA1553 Power Amplifier PNP Transistor(功率放大器PNP晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1534AQRTA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1534AR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1534ARA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 1A TO-92NL RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1534ASA 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 1A TO-92NL RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1535 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
主站蜘蛛池模板: 连州市| 长兴县| 鲁甸县| 高要市| 宁海县| 亳州市| 蓬溪县| 封开县| 乐业县| 桃园县| 临潭县| 防城港市| 新安县| 泰安市| 阳泉市| 青川县| 和静县| 方城县| 丹棱县| 泰来县| 灵宝市| 施甸县| 天祝| 云霄县| 佛山市| 墨玉县| 安国市| 蒙城县| 莱西市| 庆云县| 蒙山县| 金沙县| 乐都县| 宁强县| 高陵县| 三亚市| 平阳县| 甘德县| 织金县| 呼和浩特市| 梓潼县|