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參數資料
| 型號： | 2SA1800-Y |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 2SA1800-Y |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1806JR | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807F5TLNP | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807F5TLP | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1807TLN | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1812P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1804 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:-120V -8A 70W Bce Toshiba Transistor 2-16F1A |
| 2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1805-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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