- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33323 > 2SA1866-TL Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA1866-TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMCP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SA1866-TL |
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
Muting Circuits, Driver Applications
Ordering number:ENN4721
2SA1866
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
D1002AS (KT)/91098HA (KT)/62094MT (KOTO) AX-9000 No.4721–1/3
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
Cs
g
n
i
t
a
Rt
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
5
1
–V
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
5
1
–V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
0
1
–V
e
g
a
t
l
o
V
t
u
p
n
IV N
I
4
1
–V
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
CIC
0
5
–A
m
)
e
s
l
u
P
(
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
CI P
C
0
1
–A
m
t
n
e
r
u
C
e
s
a
BIB
0
1
–A
m
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
r
o
t
c
e
ll
o
CPC
0
5
1W
m
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
n
o
i
t
c
n
u
Jj
T
0
5
1
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
Sg
t
s
T
0
5
1
+
o
t
5
–
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2106A
[2SA1866]
Features
On-chip bias resistors (R1=47k
, R2=47k).
Very small-sized package making 2SA1866-applied
sets small and slim.
Small ON resistance.
High gain-bandwidth product fT.
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : SMCP
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
CI
O
B
C
V B
C
I
,
V
0
1
–
=
E 0
=1
.
0
–A
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
CI
O
E
C
V E
C
I
,
V
0
1
–
=
E 0
=5
.
0
–A
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
r
e
t
i
m
EI
O
B
E
V B
E
I
,
V
5
–
=
C 0
=0
3
–3
5
–0
8
–A
n
i
a
G
t
n
e
r
u
C
Dh E
F
V E
C
I
,
V
2
–
=
C
A
m
5
–
=0
0
1
t
c
u
d
o
r
P
h
t
d
i
w
d
n
a
B
-
n
i
a
Gf *
T
V E
C
I
,
V
5
–
=
C
A
m
0
1
–
=
0
6z
H
M
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
OC
*
b
o
V B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
–
=9
.
0F
p
* : Charactersistic of the constituent transistor.
Continued on next page.
0.8
0.4
2
3
1.6
0.2
1.6
0.3
0.5
1
0.5
0.75
0.6
0~0.1
0.1
0.1max
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1869-Y | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1869-O | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1869-Y | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1869-O | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1870TL/EF | 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1869-Y(JKT,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1869-Y(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,50V/3A,hfe=120to240,TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1869-Y(Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1869-Y,MTSAQ(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1869-Y,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。