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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1924 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（高壓開關(guān)應(yīng)用） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | 2SA1924 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1925 | TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SA1926 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SA1928 | SILICON PNP DUAL TRANSISTOR |
| 2SA1930 | TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1932 | TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1924(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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| 2SA1930(LBS2MATQ,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1930(ONK,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1930(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage |
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