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參數(shù)資料
型號: 2SA1930
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
中文描述: 晶體管(功率,驅(qū)動級放大器應用)
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 150K
代理商: 2SA1930
相關PDF資料
PDF描述
2SA1932 TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE
2SA1933 TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1934 TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)
2SA1937 TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1940 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
2SA1930(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage
2SA1930(Q,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 180V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1930,CKQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
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