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參數資料
| 型號： | 2SA1940 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | 2SA1940 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1941 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1943 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1944 | FOR RELAY DRIVE POWER SUPPLY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA1947 | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA1948 | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1940-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) |
| 2SA1940-R(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1941-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -140V -10A 80 to 160 TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 140V 10A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,140V/10A,hfe=80to160,TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SA1941-O(Q,T) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1941-O(S1,X,S) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR |
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