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參數資料
| 型號： | 2SA1965 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（功率，驅動級放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | 2SA1965 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1971 | TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SA1972 | Power Amplifier Application PNP Transistor(功率放大器用PNP晶體管) |
| 2SA1979UF | PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier) |
| 2SA1979 | PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier) |
| 2SA1979SF | PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1971(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini |
| 2SA1972(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1972(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1972,F(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA1972,T6WNLF(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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