型號: | 2SA2193 |
廠商: | ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION |
英文描述: | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
中文描述: | 低頻放大應用硅npn型外延式 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 62K |
代理商: | 2SA2193 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SA2196 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications |
2SA2197 | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 30V 0.5A 200 to 560 TO126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 7A TO-126 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin TO-126 |
2SA2199 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor |
2SA2199T2LQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA2199T2LR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |