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參數資料
型號: 2SB1181F5Q
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至252
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代理商: 2SB1181F5Q
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2SB1181F5R 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1181P TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181Q 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2SB1181R TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1183F5 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
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2SB1181F5R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252
2SB1181P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA
2SB1181TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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