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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1209 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP triple diffusion planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | M-A1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB1209 |
1
Transistor
2SB1209
Silicon PNP triple diffusion planer type
For low-frequency amplification
I
Features
G
High collector to base voltage V
CBO
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–71
M Type Mold Package
6.9
±
0.1
0.55
±
0.1
0.45
±
0.05
1
±
0
1
2.5
±
0.1
1.0
1.5
1.5 R0.9
R0.9
R07
0
0.85
3
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
4
±
0
4
±
0
2.5
2.5
1
2
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–400
–400
–5
–200
–100
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
I
C
= –100
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –500
μ
A, I
B
= 0
I
E
= –100
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –5V, I
C
= –30mA
I
C
= –10mA, I
B
= –1mA
I
C
= –50mA, I
B
= –5mA
V
CB
= –30V, I
E
= 20mA, f = 200MHz
V
CB
= –30V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–400
–400
–5
40
typ
50
max
– 0.6
–1.5
9
Unit
V
V
V
V
V
MHz
pF
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB1215S-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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