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參數資料
| 型號： | 2SB1219GS |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | 2SB1219GS |
Transistors
1
Publication date: April 2007
SJC00353AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 0
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 0
5V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
0.1
A
Forward current transfer ratio *
1
hFE1 *
2
VCE = 10 V, IC = 150 mA
85
340
hFE2
VCE
= 10 V, I
C
= 500 mA
40
Collector-emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC = 300 mA, IB = 30 mA
0.35 0.60
V
Base-emitter saturation voltage *
1
VBE(sat)
IC = 300 mA, IB = 30 mA
1.1
1.5
V
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 50 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
6
15
pF
(Common base, input open circuited)
2SB1219G
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
Complementary to 2SD1820G
■ Features
Large collector current I
C
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and auto-
matic insertion through the tape packing and the magazine packing.
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
500
mA
Peak collector current
ICP
1A
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Note) Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.
Rank
Q
R
S
No-rank
hFE1
85 to 170
120 to 240
170 to 340
85 to 340
Marking symbol
DQ
DR
DS
D
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: D
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1219G | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220S | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1220T | 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1221R | 70 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB1221P | 70 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1219GSL | 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1220 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB12200RL | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1220GRL | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB12210QA | 功能描述:TRANS PNP 200VCEO 70MA TO-92NL RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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