型號: | 2SB1231P |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 25 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
封裝: | TO-3PB, 3 PIN |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 62K |
代理商: | 2SB1231P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1239T146 | 2000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1243TV2N | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1252P | 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SB1260 | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1282 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1236TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |