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參數資料
| 型號： | 2SB1240Q |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 中文描述： | 中功率晶體管（- 32V的，- 2A型） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2SB1240Q |
(96-131-B24)
External dimensions (Unit: mm)
215
Transistors
Medium power Transistor(
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
32V,
2A)
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/ I
B
=
2) Complements the 2SD1766 /
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.
0.5V (Typ.)
2A /
0.2A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1240R | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1182 | Medium power Transistor(中等功率晶體管) |
| 2SB911M | Medium power Transistor(中等功率晶體管) |
| 2SB1277P | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
| 2SB1277Q | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1240TV2P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1240TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1240TV2R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1241 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR ATV -80V -1A 1W ECB |
| 2SB1241TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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