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參數資料
| 型號： | 2SB1283-4100 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 2SB1283-4100 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1788-4000 | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1023-4100 | 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1794 | 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1801TL | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1201T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1284-4000 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1287 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR TO-220FP -100V -2A 20W BCE |
| 2SB1290 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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