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參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1301-T1ZP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 84K
代理商: 2SB1301-T1ZP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1301-T2ZP 3000 mA, 16 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1302-T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1302-T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1302T 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
2SB1302-S 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SB1302T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SB1308T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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