- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33337 > 2SB1318-M 3000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1318-M |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 2SB1318-M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1322R | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322 | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1322Q | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1330T105R | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1330T105/Q | 0.7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1319 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANS. M-TYPE -30V -5A 1W BCE |
| 2SB1320A0A | 功能描述:TRANS PNP GP AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1320AQRTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1321A0A | 功能描述:TRANS PNP LF AMP 50VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。