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參數資料
| 型號： | 2SB1399 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220FM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SB1399 |
2SB1399
Silicon PNP Triple Diffused
ADE-208-873 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220FM
1.0 k
(Typ)
200
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
3. Emitter
ID
1
2 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1400 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1400 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1401 | 0.3 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1403 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1403 | 6 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1412TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1412TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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