- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369082 > 2SB1412-TN3-E-R (友順科技股份有限公司) HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB1412-TN3-E-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓開關晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SB1412-TN3-E-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1412
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R209-021,A
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SB1412 is an epitaxial planar type PNP silicon
transistor.
FEAT URES
*Excellent DC current gain characteristics
*Low V
CE(SAT)
V
CE(SAT)
= -0.35V (Typ)
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
1
TO-252
*Pb-free plating product number:2SB1412L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1412L-TN3-F-R
Package
3
E
Packing
2SB1412-TN3-F-R
TO-252
Tape Reel
2SB1412L-TN3-F-R
(1)Packing Type
(2)Pin Assignment
(3)Package Type
(4)Lead Plating
(1) R: Tape Reel
(2) refer to Pin Assignment
(3) TN3: TO-252
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1412-TN3-F-R | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2SB1430 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING |
| 2SB1430K | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SB1430L | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220VAR |
| 2SB1430M | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1412TRR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1413 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1413R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB14140RA | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 1A MT-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1416 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。