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參數資料
| 型號： | 2SB1644 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SB1644 |
2SB1644
Transistors
Power Transistor (
80V,
4A)
2SB1644
!
Features
1) Low saturation voltage.
(Typ. V
CE(sat)
=
0.5V at I
C
/ I
B
=
3A /
0.3A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
80
5
4
6
30
150
55~+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W (Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
*
*
Single pulse, Pw = 100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
1
0
0.5Min.
0
1
4
0
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
1
8.8
(
(
2
(
5
3.2
13.1
1
ROHM : PSD3
EIAJ : SC-83A
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SB1644
PSD3
EF
T100
1000
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
80
60
5
Typ.
Max.
10
10
1.5
1.5
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
Conditions
h
FE
f
T
Cob
100
12
100
320
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
3A/
0.3A
I
C
/I
B
=
3A/
0.3A
V
CE
/I
C
=
5V/
1A
V
CE
=
5V , I
E
= 0.5A , f = 5MHz
V
CB
=
10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
*
*
*
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
Measured using pulse current.
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